Terahertz-bronne was nog altyd een van die belangrikste tegnologieë op die gebied van THz-straling. Baie maniere is bewys dat dit funksioneel is om THz-straling te bereik. Tipies, elektroniese en fotonika-tegnologieë.In die lêer van fotonika is nie-lineêre optiese verskil-frekwensie generering gebaseer op groot nie-lineêre koëffisiënt, hoë optiese skade drempel nie-lineêre kristalle een van die maniere om hoë krag, instelbare, draagbare en kamertemperatuur bedryfs THz golf te verkry.GaSe en ZnGeP2(ZGP) nie-lineêre kristalle word meestal aangewend.
GaSe kristalle met lae absorpsie by millimeter & THz golf, hoë beskadigde drempel en hoë tweede nie-lieer koëffisiënt (d22 = 54 pm/V), word algemeen gebruik om Terahertz golf binne 40μm te verwerk en ook langgolfband instelbare Thz golf (buite 40μm).Dit is bewys dat dit verstelbare THz-golf by 2.60 -39.07μm is wanneer passingshoek by 11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)], en 2.60 -36.68μm uitset wanneer ooreenstem met hoek by 12.19°-27.01°[eoe (eoe) - o = e)].Verder is 42.39-5663.67μm instelbare THz-golf verkry wanneer die pashoek by 1.13°-84.71°[oee (o - e = e)].
ZnGeP2 (ZGP) kristalle met hoë nie-lineêre koëffisiënt, hoë termiese geleidingsvermoë, hoë optiese beskadigde drempel is ook nagevors as 'n uitstekende THz-bron.ZnGeP2 het ook tweede nie-lineêre koëffisiënt by d36 = 75 pm/V), wat 160 keer KDP-kristalle is.Die twee tipe fase-passingshoek van ZGP-kristalle (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]) verwerk soortgelyke THz-uitset (43.01 -5663.67μm), die oeo-tipe het geblyk 'n beter keuse te wees as gevolg van die hoër doeltreffende nie-lineêre koëffisiënt.In 'n baie lang tyd was die uitsetversterking van ZnGeP2-kristalle as Terahertz-bron beperk, omdat die ZnGeP2-kristal van ander verskaffers hoë absorpsie in naby-infrarooi gebied (1-2μm) het: Absorpsiekoëffisiënt >0.7cm-1 @1μm en >0.06 cm-1@2μm.DIEN TECH verskaf egter ZGP (Model: YS-ZGP) kristalle met superlae absorpsie: Absorpsiekoëffisiënt <0.35cm-1@1μm en <0.02cm-1@2μm.Die gevorderde YS-ZGP-kristalle stel gebruikers in staat om baie beter uitset te bereik.
Verwysing:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Fis.Soc.
