Hoëgehalte-kristalle van BGSe (BaGa4Se7) is die selenied-analoog van die chalkogeniedverbinding BaGa4S7, waarvan die asentriese ortorombiese struktuur in 1983 geïdentifiseer is en die IR NLO-effek in 2009 gerapporteer is, is 'n nuut ontwikkelde IR NLO-kristal.Dit is verkry via die Bridgman–Stockbarger-tegniek.Hierdie kristal vertoon hoë deurlaatbaarheid oor die wye reeks van 0.47–18 μm, behalwe vir 'n absorpsiepiek by ongeveer 15 μm.
Die FWHM van die (002) piek skommelkromme is ongeveer 0.008° en die transmissie deur 'n gepoleerde 2 mm dik (001) plaat is ongeveer 65% oor die wye reeks van 1–14 μm.Verskeie termofisiese eienskappe is op kristalle gemeet.
Die termiese uitsettingsgedrag in BaGa4Se7 vertoon nie sterk anisotropie met αa=9.24×10−6 K−1, αb=10.76×10−6 K−1, en αc=11.70×10−6 K−1 langs die drie kristallografiese asse .Die termiese diffusiwiteit/termiese geleidingskoëffisiënte gemeet by 298 K is 0.50(2) mm2 s−1/0.74(3) W m−1 K−1, 0.42(3) mm2 s−1/0.64(4) W m−1 K−1, 0.38(2) mm2 s−1/0.56(4) W m−1 K−1, langs die a, b, c kristallografiese as onderskeidelik.
Daarbenewens is die oppervlaklaserskadedrempel gemeet as 557 MW/cm2 met behulp van 'n Nd:YAG (1.064 μm) laser onder toestande van 5 ns polswydte, 1 Hz frekwensie en D=0.4 mm kolgrootte.
BGSe (BaGa4Se7) kristal vertoon 'n poeier tweede harmoniese generasie (SHG) reaksie wat ongeveer 2-3 keer dié van AgGaS2 is.Die oppervlak laser skade drempel is ongeveer 3,7 keer dié van AgGaS2 kristal onder identiese toestande.
BGSe kristal het 'n groot nie-lineêre vatbaarheid, en kan 'n breë vooruitsig vir praktiese toepassings in die middel-IR spektrale gebied hê. Dit toon interessante terahertz fonon-polaritone en hoë nie-lineêre koëffisiënte vir terahertz generasie.
Voordele vir IR-laseruitset:
Geskik vir verskeie pompbronne (1-3μm)
Wye verstelbare IR-uitsetreeks (3-18μm)
OPA, OPO, DFG, intracavity/extravity, cw/pols pomping
Belangrike kennisgewing: Aangesien dit 'n nuwe tipe kristal is, kan die binnekant van die kristal min strepe hê, maar ons aanvaar nie terugsending nie as gevolg van hierdie gebrek.
